SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
НОВА часть #:
312-2280357-SIS410DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIS410DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SIS410 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1600 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | |
| Другие имена | SIS410DN-T1-GE3DKR SIS410DN-T1-GE3-ND SIS410DNT1GE3 SIS410DN-T1-GE3TR SIS410DN-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMA1028NZonsemi
MIC5365-3.3YD5-TRMicrochip Technology
CSD86360Q5DTexas Instruments
SIS412DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SN74LVC2G04DBVTTexas Instruments
DS1682S+T&RAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
LTC4040IUFD#PBFAnalog Devices Inc.- SIS443DN-T1-GE3Vishay Siliconix
