FDP045N10A
120A, 100V, 0.0045OHM, N CHANNEL
НОВА часть #:
312-2269466-FDP045N10A
Производитель:
Номер детали производителя:
FDP045N10A
Стандартный пакет:
1
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | FDP045 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 74 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5270 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 263W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-FDP045N10A FAIFSCFDP045N10A |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IRFB4410PBFInfineon Technologies
- MJD44H11T4Gonsemi
- CSD19534KCSTexas Instruments
- IRFB4110PBFInfineon Technologies
- IRFSL4310ZPBFInternational Rectifier
- SZ1SMA5918BT3Gonsemi
- FDP045N10A-F102onsemi
- DMTH10H010LCTDiodes Incorporated
- UFM17PL-TPMicro Commercial Co
- INA180A1IDBVRTexas Instruments
- UA78L05AIPKTexas Instruments











