TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
НОВА часть #:
312-2340492-TP65H070LSG
Производитель:
Номер детали производителя:
TP65H070LSG
Стандартный пакет:
60
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 3-PQFN (8x8) | |
| Базовый номер продукта | TP65H070 | |
| Технологии | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Ряд | TP65H070L | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 25A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.8V @ 700µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-PowerDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 600 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 96W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TP65H070LSG-TRTransphorm
TP65H070LDGTransphorm
TP65H050WSTransphorm- TP65H300G4LSGTransphorm
