RD3G03BATTL1
PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
НОВА часть #:
312-2295928-RD3G03BATTL1
Производитель:
Номер детали производителя:
RD3G03BATTL1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 35A (Ta) 56W (Ta) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.1mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2100 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 56W (Ta) | |
| Другие имена | 846-RD3G03BATTL1TR 846-RD3G03BATTL1DKR 846-RD3G03BATTL1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP4047SK3-13Diodes Incorporated
FDD4685onsemi- NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
AUIRFR5305TRLInfineon Technologies
STD36P4LLF6STMicroelectronics
RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor- NP20P04SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- ZXMP4A16KTCDiodes Incorporated
- NP36P04SDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQD40061EL_GE3Vishay Siliconix
A6T-3104Omron Electronics Inc-EMC Div
FDD4141Fairchild Semiconductor
