TSM4ND65CI
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
НОВА часть #:
312-2264279-TSM4ND65CI
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM4ND65CI
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | ITO-220 | |
| Базовый номер продукта | TSM4 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 596 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 41.6W (Tc) | |
| Другие имена | 1801-TSM4ND65CI TSM4ND65CI-ND TSM4ND65CI RLG TSM4ND65CI C0G |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TSM600N25ECH C5GTaiwan Semiconductor Corporation
CSD18537NKCSTexas Instruments
FDU6N25onsemi