SIHB33N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
НОВА часть #:
312-2311299-SIHB33N60ET5-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIHB33N60ET5-GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | SIHB33 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | E | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 33A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3508 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 278W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ABM3-25.000MHZ-D2Y-TAbracon LLC
ECS-80-8-30Q-VS-TRECS Inc.
SIHB33N60E-GE3Vishay Siliconix