SQ2309ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
НОВА часть #:
312-2285197-SQ2309ES-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ2309ES-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SQ2309 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 336mOhm @ 3.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 265 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Tc) | |
| Другие имена | SQ2309ES-T1_GE3CT SQ2309ES-T1_GE3DKR SQ2309ES-T1_GE3TR |
In stock Нужно больше?
0,39780 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BUK9Y153-100E,115Nexperia USA Inc.
BSS138Q-7-FDiodes Incorporated
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay Siliconix- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
DFLS160Q-7Diodes Incorporated
REF196GSZAnalog Devices Inc.
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
PMV100EPARNexperia USA Inc.- SQ2309ES-T1_BE3Vishay Siliconix
- SQ2308CES-T1_GE3Vishay Siliconix
