SIA433EDJ-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта	SIA433
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	75 nC @ 8 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SC-70-6
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Другие имена	SIA433EDJ-T1-GE3TR SIA433EDJT1GE3 SIA433EDJ-T1-GE3CT SIA433EDJ-T1-GE3DKR