IPD30N06S2-15
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
НОВА часть #:
312-2312515-IPD30N06S2-15
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD30N06S2-15
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 30A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.7mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 80µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1485 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | IPD30N06S2-15-ND IPD30N06S2-15TR IPD30N06S215 INFINFIPD30N06S2-15 SP000252160 IPD30N06S2-15CT IPD30N06S215ATMA1 IPD30N06S2-15DKR 2156-IPD30N06S2-15 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TLE8888QKXUMA1Infineon Technologies
IPD30N06S215ATMA2Infineon Technologies
TLE9201SGAUMA1Infineon Technologies
