BSV236SPH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
НОВА часть #:
312-2280117-BSV236SPH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSV236SPH6327XTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 560mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT363-6 | |
| Базовый номер продукта | BSV236 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 8µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 228 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 560mW (Ta) | |
| Другие имена | BSV236SPH6327XT BSV236SP H6327 SP000917672 BSV236SP H6327TR-ND BSV236SP H6327DKR BSV236SP H6327CT-ND BSV236SPH6327XTSA1CT BSV236SP H6327DKR-ND BSV236SP H6327-ND BSV236SP H6327CT BSV236SPH6327 BSV236SPH6327XTSA1DKR BSV236SPH6327XTSA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- 2450BM15A0015EJohanson Technology Inc.
- 2450AT18D0100EJohanson Technology Inc.
- FC-135 32.7680KA-A3EPSON





