IPZ40N04S55R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
НОВА часть #:
312-2282639-IPZ40N04S55R4ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPZ40N04S55R4ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 | |
| Базовый номер продукта | IPZ40N04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.4V @ 17µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1300 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 48W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1CT IPZ40N04S55R4ATMA1DKR INFINFIPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1TR SP001153440 IPZ40N04S55R4ATMA1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSL606SNH6327XTSA1Infineon Technologies
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon Technologies
BTS500251TEAAUMA1Infineon Technologies
IAUC80N04S6L032ATMA1Infineon Technologies
SIS488DN-T1-GE3Vishay Siliconix
BZX585-B15,115Nexperia USA Inc.
LM74700QDBVTQ1Texas Instruments
2PC4081S,115Nexperia USA Inc.
PDS4200HQ-13Diodes Incorporated- BC856AW,115Nexperia USA Inc.
