BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
НОВА часть #:
312-2285193-BSR316PH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSR316PH6327XTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC59-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SC59-3 | |
| Базовый номер продукта | BSR316 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 360mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 360mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 170µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 165 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Tc) | |
| Другие имена | SP001101034 BSR316PH6327XTSA1-ND BSR316PH6327XTSA1CT BSR316PH6327XTSA1TR BSR316PH6327XTSA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS84PH6327XTSA2Infineon Technologies
FZT853TADiodes Incorporated
BZT52C15S-7-FDiodes Incorporated- BSS123Lonsemi
DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated- FMMT723TADiodes Incorporated
BSS138P,215Nexperia USA Inc.
BSP373NH6327XTSA1Infineon Technologies
CS-4-22YTANidec Copal Electronics
