IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
НОВА часть #:
312-2280896-IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 | |
| Базовый номер продукта | IPZ40N04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 30µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2800 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 71W (Tc) | |
| Другие имена | IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT IPZ40N04S5L2R8ATMA1-ND 2156-IPZ40N04S5L2R8ATMA1 INFINFIPZ40N04S5L2R8ATMA1 IPZ40N04S5L2R8ATMA1DKR SP001152004 IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- TPS3808G01QDBVRQ1Texas Instruments
- IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon Technologies
- BAT64T5Q-7-FDiodes Incorporated
- S25FL128LAGMFM010Cypress Semiconductor Corp
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon Technologies
- BAV21WS-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon Technologies






