SI7190ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
НОВА часть #:
312-2273330-SI7190ADP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7190ADP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7190 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | ThunderFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 4.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22.4 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 860 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI7190ADP-T1-RE3CT SI7190ADP-T1-RE3TR SI7190ADP-T1-RE3DKR SI7190ADP-RE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC670N25NSFDATMA1Infineon Technologies
SIR692DP-T1-RE3Vishay Siliconix
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SI7434ADP-T1-RE3Vishay Siliconix- SI7190DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon Technologies- BSC600N25NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSC16DN25NS3GATMA1Infineon Technologies