FDN358P
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
НОВА часть #:
312-2284784-FDN358P
Производитель:
Номер детали производителя:
FDN358P
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | FDN358 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 182 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | FDN358PTR FDN358PCT 2156-FDN358P-OS FDN358PDKR FAIFSCFDN358P |
In stock Нужно больше?
0,09650 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDG8842CZonsemi
STUSB4500QTRSTMicroelectronics
MM3Z5V6Consemi
NCS2250SQ2T2Gonsemi
FDN340Ponsemi
BQ24650RVARTexas Instruments
NLAS3158MNR2Gonsemi- FDN302Ponsemi
2N7002KMDD
NTJD4001NT1Gonsemi- FDV301Nonsemi
SML-LX23GC-TRLumex Opto/Components Inc.
SI7114DN-T1-E3Vishay Siliconix
NCP698SQ18T1Gonsemi
BAT54HT1Gonsemi
