IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
НОВА часть #:
312-2263575-IRFD210PBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFD210PBF
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | 4-HVMDIP | |
| Базовый номер продукта | IRFD210 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 600mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 140 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | *IRFD210PBF |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFD9110PBFVishay Siliconix- IRFD9210PBFVishay Siliconix