PHB11N06LT,118
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
НОВА часть #:
312-2343132-PHB11N06LT,118
Производитель:
Номер детали производителя:
PHB11N06LT,118
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 55 V 10.3A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | PHB11 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 330 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 33W (Tc) | |
| Другие имена | 934055182118 PHB11N06LT /T3 PHB11N06LT /T3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.