IRL2910STRLPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D2PAK
Базовый номер продукта	IRL2910
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	55A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	140 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±16V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3700 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Другие имена	IRL2910STRLPBFCT IRL2910STRLPBF-ND IRL2910STRLPBFDKR SP001571800 IRL2910STRLPBFTR