RQ6E045TNTR
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
НОВА часть #:
312-2290139-RQ6E045TNTR
Производитель:
Номер детали производителя:
RQ6E045TNTR
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 4.5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TSMT6 (SC-95) | |
| Базовый номер продукта | RQ6E045 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 4.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.7 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 540 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 950mW (Ta) | |
| Другие имена | RQ6E045TNCT RQ6E045TNDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DAN217WMTLRohm Semiconductor
CMG02(TE12L,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage
RF101LAM4STRRohm Semiconductor
SN74LV1T125DCKRTexas Instruments
CSTNE8M00G550000R0Murata Electronics
AD8532ARUZ-REELAnalog Devices Inc.
TC7SH08FU,LJ(CTToshiba Semiconductor and Storage
TS12A12511DCNRTexas Instruments
RB521SM-60T2RRohm Semiconductor- TC7SH14FU,LJ(CTToshiba Semiconductor and Storage
SSM3K329R,LFToshiba Semiconductor and Storage
