PSMN1R0-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2290475-PSMN1R0-25YLDX
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN1R0-25YLDX
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | PSMN1R0 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.89mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 71.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | Schottky Diode (Body) | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5308 pF @ 12 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 160W (Tc) | |
| Другие имена | 568-12927-6-ND 568-12927-6 568-12927-2-ND 1727-2495-6 568-12927-1-ND 568-12927-1 1727-2495-1 1727-2495-2 568-12927-2 934069908115 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- 1N5243BTRonsemi
- SI2369DS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- LM317AEMPTexas Instruments
- LB1836M-TLM-Eonsemi
- 1N5233BTRonsemi






