RUR020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
НОВА часть #:
312-2284826-RUR020N02TL
Производитель:
Номер детали производителя:
RUR020N02TL
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TSMT3 | |
| Базовый номер продукта | RUR020 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-96 | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 180 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 540mW (Ta) | |
| Другие имена | RUR020N02MGTL RUR020N02TLTR RUR020N02TL-ND Q8382218 RUR020N02TLCT RUR020N02TLDKR |
In stock Нужно больше?
0,15000 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDV305Nonsemi
BAT54A,235Nexperia USA Inc.
DMG2302UKQ-7Diodes Incorporated- FDN357NFairchild Semiconductor
- NDS331Nonsemi
- ZXMN2A01FTADiodes Incorporated
APSG160ELL271MF08JUnited Chemi-Con
APXN6R3ARA561MH70GUnited Chemi-Con
DMN2112SN-7Diodes Incorporated
SN74LVC1G08DBVRTexas Instruments
AO3420Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ECS-271.2-10-33B-CKM-TRECS Inc.
BZT52C3V3-7-FDiodes Incorporated
