IRFB52N15DPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB

НОВА часть #:

312-2289701-IRFB52N15DPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFB52N15DPBF

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Базовый номер продукта	IRFB52
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	51A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	89 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2770 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.8W (Ta), 230W (Tc)
Другие имена	SP001572332 INFINFIRFB52N15DPBF *IRFB52N15DPBF 2156-IRFB52N15DPBFINF

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!