DMN2075U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284320-DMN2075U-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN2075U-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN2075 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 3.6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 594.3 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 800mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN2075U-7DICT DMN2075U-7DITR DMN2075U7 DMN2075U-7DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SN6501DBVTTexas Instruments
- VSMB2948SLVishay Semiconductor Opto Division
- SMBJ5353B-TPMicro Commercial Co
- SML-D12U1WT86Rohm Semiconductor
- DMG3402L-7Diodes Incorporated
- DMN2056U-7Diodes Incorporated
- DMP2035U-7Diodes Incorporated
- DMG3414U-7Diodes Incorporated
- DMN2041L-7Diodes Incorporated
- ISO1050DUBRTexas Instruments
- IRLML6246TRPBFInfineon Technologies
- NTJD4001NT1Gonsemi
- DMG2302U-7Diodes Incorporated








