SI7456DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2280917-SI7456DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7456DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7456 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 9.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.9W (Ta) | |
| Другие имена | SI7456DPT1GE3 SI7456DP-T1-GE3CT SI7456DP-T1-GE3TR SI7456DP-T1-GE3DKR |
In stock Нужно больше?
1,85820 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CLP6C-FKB-CKNPRGJBB7A363CreeLED, Inc.
Q 16,0-JXS32-12-10/10-WA-LFJauch Quartz
AWSCR-12.00CELB-C33-T3Abracon LLC
R-667903Mitsumi Electric Company Ltd
SI7454DP-T1-E3Vishay Siliconix- SI7456DP-T1-E3Vishay Siliconix
- SIR170DP-T1-RE3Vishay Siliconix