DMN6070SFCL-7
MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
НОВА часть #:
312-2290079-DMN6070SFCL-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN6070SFCL-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 3A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1616-6 (Type E)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X1-DFN1616-6 (Type E) | |
| Базовый номер продукта | DMN6070 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-PowerUFDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 606 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 600mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN6070SFCL-7DIDKR DMN6070SFCL-7DICT DMN6070SFCL-7DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SDM1M40LP8-7Diodes Incorporated
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and Storage
BZX884-B9V1,315Nexperia USA Inc.
DMN21D2UFB-7BDiodes Incorporated
DMN6068SE-13Diodes Incorporated
SQA442EJ-T1_GE3Vishay Siliconix- BZX884S-B20YLNexperia USA Inc.
