SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
НОВА часть #:
312-2289776-SUG80050E-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUG80050E-GE3
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247AC | |
| Базовый номер продукта | SUG80050 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | ThunderFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6250 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500W (Tc) | |
| Другие имена | SUG80050E-GE3TR-ND SUG80050E-GE3DKRINACTIVE SUG80050E-GE3TRINACTIVE SUG80050E-GE3DKR-ND SUG80050E-GE3CT SUG80050E-GE3TR SUG80050E-GE3CT-ND SUG80050E-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDP075N15A-F102onsemi
IPP051N15N5AKSA1Infineon Technologies
SUG90090E-GE3Vishay Siliconix
IXTH94N20X4IXYS
FDH055N15Aonsemi
IXFX240N15T2IXYS
IRF150P221AKMA1Infineon Technologies
IRFP4568PBFInfineon Technologies
