DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
НОВА часть #:
312-2281297-DMN6075S-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN6075S-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN6075 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 606 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 800mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN6075S-7DICT DMN6075S-7DITR DMN6075S-7DIDKR |
In stock Нужно больше?
0,10480 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP6110SVT-7Diodes Incorporated
TSM850N06CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
LG L29K-F2J1-24-ZOSRAM Opto Semiconductors Inc.
FDN86501LZonsemi
PMEG10010ELRXNexperia USA Inc.
DMP3099L-7Diodes Incorporated
MM3Z10VST1Gonsemi
MMSZ5246B-7-FDiodes Incorporated
DMN6140L-13Diodes Incorporated
