ISC080N10NM6ATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8 FL
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13A (Ta), 75A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.05mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.3V @ 36µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1800 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3W (Ta), 100W (Tc)
Другие имена	SP005409473 448-ISC080N10NM6ATMA1CT 448-ISC080N10NM6ATMA1DKR 448-ISC080N10NM6ATMA1TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!