SI4435DDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
НОВА часть #:
312-2282640-SI4435DDY-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4435DDY-T1-E3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4435 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 9.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1350 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | |
| Другие имена | SI4435DDY-T1-E3-ND SI4435DDY-T1-E3DKR SI4435DDY-T1-E3CT SI4435DDYT1E3 SI4435DDY-T1-E3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4435DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
FM24CL64B-GTRCypress Semiconductor Corp
2N7002LT1Gonsemi
1N4148WSDiotec Semiconductor
MBRS140T3Gonsemi
RS3E075ATTBRohm Semiconductor
SI4435DYTRPBFInfineon Technologies
AT25SF081B-SSHD-TAdesto Technologies
SI4435DYonsemi
MMBT2907A-TPMicro Commercial Co
