RF4E080GNTR

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	HUML2020L8
Базовый номер продукта	RF4E080
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerUDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	295 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta)
Другие имена	RF4E080GNTRTR RF4E080GNTRDKR RF4E080GNTRCT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!