SI4465ADY-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4465
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13.7A (Ta), 20A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	85 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	8 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3W (Ta), 6.5W (Tc)
Другие имена	SI4465ADYT1GE3 SI4465ADY-T1-GE3DKR SI4465ADY-T1-GE3TR SI4465ADY-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!