BSC019N08NS5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
НОВА часть #:
312-2277680-BSC019N08NS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC019N08NS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSON-8-3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 28A (Ta), 237A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 146µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8600 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 214W (Tc) | |
| Другие имена | 448-BSC019N08NS5ATMA1CT 448-BSC019N08NS5ATMA1TR 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR SP005560379 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTMFS6H800NLT1Gonsemi
BSC021N08NS5ATMA1Infineon Technologies- BSC027N10NS5ATMA1Infineon Technologies
BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies- NVMFS6H800NLT1Gonsemi