STS10P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
НОВА часть #:
312-2291639-STS10P4LLF6
Производитель:
Номер детали производителя:
STS10P4LLF6
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 10A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | STS10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | STripFET™ F6 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA (Min) | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3525 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Ta) | |
| Другие имена | -497-15483-2 497-15483-1 497-15483-2 -497-15483-6 497-15483-6 -497-15483-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NX3225SA-27.12M-STD-CSR-3NDK America, Inc.
- IRF7240TRPBFInfineon Technologies
- SI4401DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- USB2513B-I/M2Microchip Technology
- FDS4141onsemi
- FT232HL-REELFTDI, Future Technology Devices International Ltd
- SQ4401EY-T1_GE3Vishay Siliconix
- TSM150P04LCS RLGTaiwan Semiconductor Corporation
- SI4401FDY-T1-GE3Vishay Siliconix








