MSC080SMA120S
SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
НОВА часть #:
312-2291201-MSC080SMA120S
Производитель:
Номер детали производителя:
MSC080SMA120S
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 35A 182W (Tc) Surface Mount D3PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D3PAK | |
| Базовый номер продукта | MSC080 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 64 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| VGS (макс.) | +23V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 838 pF @ 1000 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 182W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SCT3105KW7TLRohm Semiconductor
UF3C120080B7SUnitedSiC
SCT10N120HSTMicroelectronics
SCT30N120HSTMicroelectronics
MSC040SMA120SMicrochip Technology
C3M0160120JWolfspeed, Inc.
G3R75MT12JGeneSiC Semiconductor