SQ2303ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
НОВА часть #:
312-2284879-SQ2303ES-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ2303ES-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 2.5A (Tc) 1.9W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SQ2303 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 210 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.9W (Tc) | |
| Другие имена | SQ2303ES-T1_GE3DKR SQ2303ES-T1_GE3TR SQ2303ES-T1_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- TPS78533QWDRBRQ1Texas Instruments
- PJA3400_R1_00001Panjit International Inc.
- MVMBF0201NLT1Gonsemi
- 74LVC1G04GW-Q100HNexperia USA Inc.
- SQ2303ES-T1_BE3Vishay Siliconix
- TPS78550QWDRBRQ1Texas Instruments







