BSZ0704LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
НОВА часть #:
312-2312421-BSZ0704LSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSZ0704LSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 FL | |
| Базовый номер продукта | BSZ0704 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 14µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1300 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) | |
| Другие имена | SP001614102 448-BSZ0704LSATMA1TR 448-BSZ0704LSATMA1DKR 448-BSZ0704LSATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BSZ0702LSATMA1Infineon Technologies
- ISZ0602NLSATMA1Infineon Technologies
- IAUZ40N06S5N050ATMA1Infineon Technologies
- IAUZ30N06S5L140ATMA1Infineon Technologies
- BSC0704LSATMA1Infineon Technologies






