BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
НОВА часть #:
312-2282427-BSZ100N06NSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSZ100N06NSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8-FL | |
| Базовый номер продукта | BSZ100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.3V @ 14µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1075 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) | |
| Другие имена | BSZ100N06NSATMA1TR SP001067006 BSZ100N06NSATMA1CT BSZ100N06NSATMA1DKR BSZ100N06NSATMA1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NCV7329D10R2Gonsemi
BTS6163DAUMA1Infineon Technologies
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon Technologies
BSC059N04LSGATMA1Infineon Technologies
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon Technologies- BSZ042N06NSATMA1Infineon Technologies
NCV7342MW3R2Gonsemi
BSC123N08NS3GATMA1Infineon Technologies
NCV380HMUAJAATBGonsemi- NCV7344MW3R2Gonsemi
NCV7240BDPR2Gonsemi- NCV7428D15R2Gonsemi
BTS70202EPAXUMA1Infineon Technologies
