NX3020NAKW,115
MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
НОВА часть #:
312-2284015-NX3020NAKW,115
Производитель:
Номер детали производителя:
NX3020NAKW,115
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 180mA (Ta) 260mW (Ta), 1.1W (Tc) Surface Mount SOT-323
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-323 | |
| Базовый номер продукта | NX3020 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 180mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.44 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-70, SOT-323 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 260mW (Ta), 1.1W (Tc) | |
| Другие имена | NX3020NAKW,115-ND 568-10508-6 1727-1288-6 568-10508-2 568-10508-1 1727-1288-2 NEXNEXNX3020NAKW,115 934067071115 1727-1288-1 568-10508-1-ND 568-10508-2-ND 568-10508-6-ND 2156-NX3020NAKW,115-NEX |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RB578VAM100TRRohm Semiconductor
PDS1040L-13Diodes Incorporated
5988A20107FDialight
SIS412DN-T1-GE3Vishay Siliconix
APT1608LVBC/DKingbright
BSH105,215Nexperia USA Inc.
ST3485ECDRSTMicroelectronics
AD8231ACPZ-WPAnalog Devices Inc.
LM4040AIM3-2.0/NOPBTexas Instruments
SI1012R-T1-GE3Vishay Siliconix
S-1313C33-M5T1U3ABLIC U.S.A. Inc.
CD74HC4067SM96Texas Instruments
BSS84-7-FDiodes Incorporated
