TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
НОВА часть #:
312-2292154-TK32E12N1,S1X
Производитель:
Номер детали производителя:
TK32E12N1,S1X
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 | |
| Базовый номер продукта | TK32E12 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 120 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2000 pF @ 60 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 98W (Tc) | |
| Другие имена | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RB238NS150FHTLRohm Semiconductor
TK34E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage
PSMN6R3-120PSNexperia USA Inc.
IRFB4110PBFInfineon Technologies
STP110N10F7STMicroelectronics
TK32A12N1,S4XToshiba Semiconductor and Storage
