IPB014N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
НОВА часть #:
312-2289050-IPB014N06NATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB014N06NATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-7 | |
| Базовый номер продукта | IPB014 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 34A (Ta), 180A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 143µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 106 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7800 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 214W (Tc) | |
| Другие имена | SP000917408 IPB014N06NDKR-ND IPB014N06NATMA1DKR IPB014N06NATMA1CT IPB014N06NDKR IPB014N06N IPB014N06NTR IPB014N06NTR-ND IPB014N06NATMA1TR IPB014N06NCT IPB014N06NCT-ND IPB014N06N-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon Technologies
IPB010N06NATMA1Infineon Technologies
BSC016N06NSTATMA1Infineon Technologies- IPB017N06N3GATMA1Infineon Technologies
