BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
НОВА часть #:
312-2276114-BSC117N08NS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC117N08NS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC117 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 49A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 22µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1300 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Другие имена | BSC117N08NS5ATMA1-ND BSC117N08NS5ATMA1TR BSC117N08NS5ATMA1CT SP001295028 BSC117N08NS5ATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
A6S-4104-HOmron Electronics Inc-EMC Div
BSC040N08NS5ATMA1Infineon Technologies- BSC037N08NS5ATMA1Infineon Technologies
CSD19534Q5ATexas Instruments
TL1963ADCQRTexas Instruments
REF5030IDRTexas Instruments
OPA2182IDGKRTexas Instruments- BSC052N08NS5ATMA1Infineon Technologies
CDBW46-GComchip Technology
STPS6M100DEE-TRSTMicroelectronics- UCC27282QDDARQ1Texas Instruments
