RW1E025RPT2CR
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
НОВА часть #:
312-2275709-RW1E025RPT2CR
Производитель:
Номер детали производителя:
RW1E025RPT2CR
Стандартный пакет:
8,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-WEMT | |
| Базовый номер продукта | RW1E025 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-SMD, Flat Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 480 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta) | |
| Другие имена | RW1E025RPT2CRCT RW1E025RPT2CRDKR RW1E025RPT2CRTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ZXTN620MATADiodes Incorporated