STD80N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
НОВА часть #:
312-2278212-STD80N4F6
Производитель:
Номер детали производителя:
STD80N4F6
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | STD80 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2150 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 70W (Tc) | |
| Другие имена | -497-13576-1 -497-13576-2 497-13576-6 497-13576-2 -497-13576-6 497-13576-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STD95N4LF3STMicroelectronics
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon Technologies
AOD4184AAlpha & Omega Semiconductor Inc.- IPD50N04S408ATMA1Infineon Technologies
