APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
НОВА часть #:
312-2264650-APT9M100S
Производитель:
Номер детали производителя:
APT9M100S
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D3PAK | |
| Базовый номер продукта | APT9M100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | POWER MOS 8™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2605 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 335W (Tc) | |
| Другие имена | 150-APT9M100S |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
APT18M100SMicrochip Technology- APT14M120SMicrochip Technology