SI7129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2285620-SI7129DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7129DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7129 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 14.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3345 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) | |
| Другие имена | SI7129DN-T1-GE3DKR SI7129DN-T1-GE3CT SI7129DN-T1-GE3-ND SI7129DN-T1-GE3TR SI7129DNT1GE3 |
In stock Нужно больше?
0,39940 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NCP308SNADJT1Gonsemi
NTJD1155LT1Gonsemi
STUSB4500QTRSTMicroelectronics
SI7121DN-T1-GE3Vishay Siliconix
NDC7001Consemi
SI7143DP-T1-GE3Vishay Siliconix
NCP380HSN05AAT1Gonsemi
NLAS3158MNR2Gonsemi
NCP303LSN25T1Gonsemi
NTZD3155CT2Gonsemi- FDC6333Consemi
- NTZD3155CT1Gonsemi
- NCV303LSN30T1Gonsemi
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon Technologies
