IRF7473PBF

HEXFET POWER MOSFET
НОВА часть #:
312-2294472-IRF7473PBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF7473PBF
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:

N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительInternational Rectifier
RoHS 1
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SO
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядHEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 6.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3180 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta)
Другие имена2156-IRF7473PBF
INFIRFIRF7473PBF

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!