FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
НОВА часть #:
312-2263396-FDB0165N807L
Производитель:
Номер детали производителя:
FDB0165N807L
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 310A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263-7 | |
| Базовый номер продукта | FDB0165 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 310A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 36A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 304 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 23660 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) | |
| Другие имена | FDB0165N807LTR FDB0165N807L-ND FDB0165N807LCT FDB0165N807LDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDB0190N807Lonsemi
NTBLS1D1N08Honsemi
IPB019N08N3GATMA1Infineon Technologies
