IRLML2030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
НОВА часть #:
312-2284572-IRLML2030TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRLML2030TRPBF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Micro3™/SOT-23 | |
| Базовый номер продукта | IRLML2030 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 25µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 110 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta) | |
| Другие имена | IRLML2030TRPBFCT 2156-IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBFDKR SP001578662 IRLML2030TRPBFTR IFEINFIRLML2030TRPBF |
In stock Нужно больше?
0,19070 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRLML6244TRPBFInfineon Technologies
LS R976-NR-1OSRAM Opto Semiconductors Inc.
PDS4150-13Diodes Incorporated
MX25R8035FM2IL0Macronix
SN74LVC1G04DBVRTexas Instruments- IRLML5203TRPBFInfineon Technologies
RSR025N03TLRohm Semiconductor
IRS44273LTRPBFInfineon Technologies
DMN3110S-7Diodes Incorporated
150060RS75000Würth Elektronik
