SIJ482DP-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SIJ482
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	60A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	71 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2425 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5W (Ta), 69.4W (Tc)
Другие имена	SIJ482DP-T1-GE3DKR SIJ482DP-T1-GE3DKRINACTIVE SIJ482DP-T1-GE3TR SIJ482DP-T1-GE3CT SIJ482DP-T1-GE3DKR-ND SIJ482DPT1GE3