SI3443CDV-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	SI3443
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.97A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	12.4 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	610 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta), 3.2W (Tc)
Другие имена	SI3443CDVT1GE3 SI3443CDV-T1-GE3DKR SI3443CDV-T1-GE3CT SI3443CDV-T1-GE3-ND SI3443CDV-T1-GE3TR